Intel и Micron Technology начали делать «флешки» на 128 Гбайт

intel

Intel и Micron Technology объявили, что их совместное предприятие по выпуску чипов флеш-памяти формата NAND начало применять новые технологические нормы, разрешающие создавать чипы памяти в 128 Гбайт данных. До сего времени IM Flash Technologies применяла 25-нанометровый литографический процесс для производства подложек на 64 Гбита данных. на данный момент эти чипы используются во многих SSD-накопителях. Что касается новых 20-нанометровых чипов, то их тестовые образцы станут доступны для производителей в январе 2012 года, а массовые поставки готовых чипов флеш-памяти для устройств начнутся к середине 2012 года.В заявлении IM Flash говорится, что переход на более современную и продвинутую разработку разрешит значительно снизить цена производства кремниевых подложек для «нарезки» будущих чипов памяти.

Совместное предприятие двух компаний – IM Flash Technologies – начало производство первых в мире 20-нанометровых чипов, применяющих 128-гигабитные MLC-подложки (Multi Levell Cell). Новые 20-нанометровые являются чипами самой плотности записи и высокой ёмкости в отрасли.

Новинки предназначены для применения в планшетах, смартфонах и разных портативных электронных устройствах.Ожидается, что готовые образцы продукции будет поддерживать интерфейс Open NAND Flash Interface 3.0, предлагая производительность до 333 мегатрансферов в секунду.


PHOTOINTERVIEW.RU