Intel и Micron Technology заявили, что их совместное предприятие по выпуску чипов флеш-памяти формата NAND начало использовать новые технологические нормы, разрешающие создавать чипы памяти в 128 Гбайт данных. До сего времени IM Flash Technologies использовала 25-нанометровый литографический процесс для производства подложек на 64 Гбита данных. сейчас эти чипы употребляются во многих SSD-накопителях.
Что касается новых 20-нанометровых чипов, то их тестовые образцы станут доступны для производителей в январе 2012 года, а массовые поставки готовых чипов флеш-памяти для устройств начнутся к середине 2012 года.В заявлении IM Flash говорится, что переход на более современную и продвинутую разработку даст значительно снизить цена производства кремниевых подложек для «нарезки» будущих чипов памяти.Совместное предприятие двух компаний – IM Flash Technologies – начало производство первых в мире 20-нанометровых чипов, использующих 128-гигабитные MLC-подложки (Multi Levell Cell). Новые 20-нанометровые являются чипами высокой плотности ёмкости и самой записи в отрасли.
Новинки предназначены для применения в планшетах, смартфонах и различных портативных электронных устройствах.Ожидается, что готовые образцы продукции будет поддерживать интерфейс Open NAND Flash Interface 3.0, предлагая производительность до 333 мегатрансферов в секунду.