Новый тип памяти может расширить производительность цифровых устройств в десятки раз, вместе с этим снизив их энергопотребление.Работа над разработками магниторезистивной памяти MRAM началась в 90-х годах прошлого столетия. Главным преимуществом этого типа запоминающих устройств есть энергонезависимость.
Приверженцы технологии верят, что MRAM станет единым стандартом компьютерной памяти, не смотря на то, что до сих пор ответ не стало распространено на рынке. Лабораторные удачи, о которых иногда докладывают разработчики, не приближали стадии коммерческого применения MRAM.
Принципиально важно подчернуть, что эксперты из Университета Тохоку не единственные, кто занимается перспективной разработкой. Компания Everspin Technologies обещает в самом ближайшем будущем начать производить MRAM память, а инженеры из компании Buffalo уже в 2015 году обещают выпустить первый SSD с ST-MRAM-буфером, именно созданным энтузиастами из Everspin.
По словам ученых, новый тип памяти может расширить производительность цифровых устройств в десятки раз, наряду с этим снизив их энергопотребление. В случае если растолковывать популярно, то отличие между DRAM и MRAM пребывает в различном методе хранения информации. В случае если DRAM применяет для этого заряды, то MRAM хранит данные посредством магнитных моментов, для поддержания которых необходимо значительно меньше энергии, что упрощает работу с стабилизаторами и проводниками.
Японские и американские эксперты заявили о начале крупномасштабных разработок нового типа оперативной памяти. Вместо динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), которая везде употребляется в современных смартфонах и компьютерах, светила науки предлагают применение магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM). Свои силы в рамках революционного проекта объединили более двадцати компаний, среди которых имеется такие флагманы, как Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi и американский гигант Micron Technology.Разработки в данной области будут вестись с применением интеллектуального капитала нескольких десятков ученых из японского Университета Тохоку, во главе исследователей будет находиться доктор наук Тетсуо Эндо.
Полномасштабная работа над проектом начнется в феврале 2014 года. Массовый выпуск устройств на базе MRAM, но, обещают наладить не ранее 2018 года.